Der hier zu sehende International Rectifier IRF2804 trägt den Buchstaben P in der zweiten Zeile. Es handelt sich folglich um die bleifreie Variante IRF2804PbF. Im Gegensatz zum IRF1404PbF erlaubt beim IRF2804 die bleifreie Version weniger Drainstrom. Das Datenblatt spezifiziert für den MOSFET selbst einen maximal möglichen Dauerstrom von 250A, wobei das Gehäuse den Dauerstrom auf 75A begrenzt. Der maximal zulässige Spitzenstrom beträgt 1080A. Der Widerstand wird mit 2mΩ angegeben. Die Sperrspannung beträgt 40V. Über das TO-220 Gehäuse können bis zu 300W abgeführt werden.
Das Die ist mit 5,8mm x 4,3mm minimal größer als das Die des IRF1404PbF. Auch hier ist die Source-Fläche mit vier dicken Bonddrähten an den Source-Pin angebunden. Die Rahmenstrukturen sind relativ ähnlich, aber nicht ganz gleich aufgebaut.
Im Detail wird nochmal deutlicher, dass es sich um ein anderes Design handelt als beim IRF1404PbF. Durch die Metallisierung zeichnen sich keine der darunter liegenden Strukturen ab. Entweder sind die einzelnen Transistorelemente so viel kleiner, dass sie nicht mehr erkennbar sind oder die Source-Metallisierung ist deutlich dicker und verdeckt damit Unebenheiten. International Rectifier wirbt damit, dass der IRF2804 auf einer Trench-Technologie basiert.
An der unteren Kante scheinen einige Masken abgebildet zu sein.
