Der Siemens ADY13 ist ein PNP-Germaniumtransistor im TO-8 Gehäuse. Die Sperrspannung ist mit 45V und der Kollektorstrom mit 600mA spezifziert. Über das Gehäuse können bis zu 250mW abgeführt werden. Die Grenzfrequenz liegt bei 350kHz. S6 ist ein für Siemens typischer Datecode, der auf das Jahr 1962 verweisen könnte.
Auf der Oberseite des Gehäuses befindet befindet sich etwas Lötzinn. Öffnet man das Gehäuse, so zeigt sich, dass dieses Lot einen Durchbruch verschließt. Vermutlich hat man darüber den Innenraum mit einem inerten, trockenen Gas gefüllt. Es handelt sich nich nur um eine einfache Bohrung. Die Vertiefung sollte vermutlich sicherstellen, dass sich ausreichend Lot über dem Loch ansammeln kann, ohne dass es auf Oberseite des Gehäuses eine zu starke Erhöhung erzeugt.
Im Gehäuse befindet sich ein Heatspreader, was bei dieser Leistungsklasse und in diesem Gehäusetyp eher ungewöhnlich ist.
Die weiße Masse scheint nicht eine elektrische Isolation, sondern eher eine zusätzliche Abdichtung zu sein.
Der Pin der das Basispotential überträgt, ist mit einem Blechstreifen verbunden. Der Blechstreifen kontaktiert schließlich die Germamiumscheibe, die den eigentlichen Transistor darstellt.
Die Strukturen, die man auf dem Germaniumkristall erkennen kann, entstehen beim Ätzen der Oberfläche. Zum Basiskontakt hin scheint die Oberfläche glatter zu werden. Auch in dem Bereich, in dem der Emitter kontaktiert wird, ändert sich die Oberflächenstruktur.
Seitlich betrachtet ist gut zu erkennen, dass der Aufbau des ADY13 einem Leistungstransistor ähnelt. Der runde, ungefähr 30µm dicke Germaniumkristall ist auf einem Dom auf dem Heatspreader platziert, um die Verlustleistung möglichst effektiv ableiten zu können.
